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提出了一种适用于低电源电压应用的混频器,其核心部分采用开关跨导形式,使得开关器件导通时的有限开态电阻引起的电压降减小到零,并在输出端采用折叠级联输出,降低了负载电阻引起的直流电压降,达到了在低电源电压下应用的目的.在1.3 V的电源电压下,电路仿真结果显示:转换增益为-11.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764 dBm,三阶交调失真点为4.807 dBm. 相似文献
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针对现有航空发动机剩余使用寿命预测(RUL)精度低及传感器监测参数提取困难等问题,提出了一种基于决策树特征提取与随机搜索算法优化LightGBM的航空发动机RUL预测模型。首先,对航空发动机历史监测参数进行分析,利用决策树算法计算监测参数对发动机寿命周期的重要性贡献程度,提取重要特征后对数据进行归一化处理,降低数据量纲对预测模型的影响;其次,根据航空发动机的历史衰退特征,为发动机设置阈值标签,表征发动机的性能退化特点。最后,利用随机搜索算法对LightGBM中的超参数进行寻优,获得RMSE最小值。在CMAPSS数据集上进行了实验验证。结果表明,与其他构建模型的最优值相比,所提方法在多个评价指标下具有更好的综合性能,有效提升了航空发动机RUL预测的精准度。 相似文献
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3常见鱼类爱德华氏菌病及症状由爱德华氏菌感染引起的鱼类疾病统称为鱼类的爱德华氏菌病(Edwardsiellasis),由Etarda引起的鱼类爱德华氏菌病主要是鲶鱼气肿性腐败病(emphysematous putrefactive disease of catfish,EPDC),又称迟钝爱德华菌病;由E.ictaluri引起的则主要是斑点叉尾鮰肠型败血症(Enteric septicemia of Channel catfish,ESC)和黄颡鱼红头病 (Red-Head disease of Yellow catfish)。 相似文献
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提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOSFET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对。BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFE比MOSFET具有更好的频率响应特性。 相似文献
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本装置建立在数字电路基础上,将与汽车速度相关的感生电流信号通过一系列的数字集成电路处理,用于控制汽车发动机电路,达到车速控制的目的。 相似文献
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为探索水稻二化螟绿色防控技术,应用性信息素迷向技术,于2021年对武冈市晚稻二化螟进行了防治。通过对各处理二化螟成虫诱捕量、枯鞘率、枯心率及产量的调查,评价其对二化螟的防控效果。结果表明:性信息素能显著降低二化螟成虫诱捕量(P <0.05),性信息素安装后0~42 d干扰率达95.28%~97.17%,安装42 d后干扰效果有所下降;在第42天更换1次性信息素后能持续起效,更新后干扰率可达92.52%及以上;从枯鞘率来看,各处理间差异不显著,但性信息素处理区的枯鞘率较低,表明其对防止二化螟为害有一定效果,其中8月24日和9月7日,仅用性信息素防治的处理防效达31.03%~40.22%;从枯心率来看,性信息素的防效与农药防效相当,但二者结合使用效果更好、更稳定,成熟期防效达62.34%;使用性信息素的处理能间接增加水稻产量,增产率在10.00%以上。由此可知,应用性信息素迷向技术干扰二化螟成虫交配,防治效果明显,结合1~2次农药防治,能有效防治二化螟为害。 相似文献
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以‘纽荷尔’脐橙为试材,在2020年4月—2021年12月抽梢开花期(Ⅰ)、幼果期(Ⅱ)、果实膨大期(Ⅲ)和果实成熟期(Ⅳ)分别设置高水和低水2个亏水处理(灌水量分别为对照处理的70%和55%),高肥、中肥和低肥3个施肥处理(施肥量分别为对照处理的80%、60%和40%),以正常水肥管理为对照(CK)。CK处理Ⅰ~Ⅳ期灌水量分别为136.43、204.65、272.86、136.43 m3·hm-2,施肥量分别为380.00、645.00、1550.00、400.00 kg·hm-2。基于W×F-Jensen/Minhas/Rao模型模拟脐橙产量和品质与不同生育期耗水耗肥量的关系,进而评价模型预测性能与敏感性。研究表明:脐橙产量、单果质量和可溶性糖均对Ⅲ期水、肥亏缺最敏感;维生素C对Ⅲ期水分亏缺最敏感,对Ⅳ期肥料亏缺最敏感;可滴定酸对Ⅱ期水分亏缺最敏感,对Ⅳ期肥料变化最敏感。W×F-Jensen/Minhas/Rao模型均能较好地模拟脐橙产量(决定系数R2=0.76~0.90,均方根误差RMSE=0... 相似文献
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基于SOI薄膜,提出一种引入P^+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar Junction Metal—Oxide—Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型.数值模拟结果显示:在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度.此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容. 相似文献