首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   0篇
林业   5篇
综合类   2篇
  2019年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2009年   3篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 12 毫秒
1
1.
通过对8年生马占相恩人工林生态系统养分积累与分配的研究,结果表明:林地土壤0-50cm土层内全c积累量为69090kg·hm^-2,全N积累量为3725kg·hm^-2,全P积累量为647kg·hm^-2,交换性K积累量为648kg·hm^-2,交换性Ca积累量为987kg·hm^-2,交换性Mg积累量为63kg·hm^-2;凋落物养分积累量N为58.764kg·hm^-2·a^-1,P积累量为1.608kg·hm^-2·a^-1,K积累量为9.021kg·hm^-2·a^-1,Ca积累量为22.898kg·hm-2·a^-1,Mg积累量为4.079kg·hm^-2·a^-1;人工林林分各元素积累量N为277.04kg·hm^-2、P为7.72kg·hm^-2、K为57.21kg·hm^-2、Ca为93.22kg·hm^-2、Mg为10.24kg·hm^-2;林下植被养分积累量N、P、K、Ca、Mg分别为35.40、2.67、29.47、22.38、4.00kg·hm^-2。  相似文献   
2.
马占相思人工林生长影响因子的分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对闽南不同坡向、不同坡形、不同造林密度6年生马占相思人工林生长状况的调查分析,结果表明:6年生马占相思人工林生长阴坡优于阳坡,山洼优于山脊,密度为750株/hm^2的林分优于密度为1500株/hm^2的林分;坡形和造林密度对6年生马占相思人工林的生长影响显著,而坡向对6年生马占相思人工林的生长影响不显著。  相似文献   
3.
将高生长量的品系与抗逆性强的品系杂交获得桉树杂交新种无性系ZL9、ZL11、ZL15等,与引进的抗风无性系SH1、W 5、M1在闽南山地进行对比试验。结果表明,ZL9、ZL11、ZL15表现出早期较好的速生性,且抗逆性较强。这些无性系5个月树高可达到1.8-3.0 m,比SH1无性系提高19.4%-43.1%,比W 5无性系提高1.5%-41.7%,存活率94.6%-97.2%。特别是ZL15适应性最强,在贫瘠立地上仍有较高生长量,体现出明显的杂种优势。  相似文献   
4.
介绍了漳州平和县林业发展的主要特点、取得主要成效及存在的问题,提出了林业发展的对策建议。主要包括:加强林业工程建设,优化森林结构,强化经营管理水平等,为平和县林业可持续经营提供参考。  相似文献   
5.
为探索降香黄檀混交造林效果,于2009年开展了降香黄檀和山桂花、灰木莲、非州桃花心木及粗皮桉混交试验。6a生的试验结果表明,4种混交林中,降香黄檀与山桂花混交胸径生长最快,与灰木莲混交树高生长最快,与粗皮桉混交胸径和树高生长最慢;不同混交林中降香黄檀高径生长差异不显著。  相似文献   
6.
为探讨桉树择伐后套种阔叶树的可行性和适生性,摸索适宜的桉树套种混交模式,对闽南山地桉树人工林择伐后分别套种米老排、卷荚相思、灰木莲所形成的复层异龄混交林分的生长量及土壤理化性状进行调查分析。结果表明:1)桉树择伐后,采用3桉∶3阔的行带状方式套种米老排、卷荚相思、灰木莲的不同混交林中,3个阔叶树种的保存率均较高且生长良好,均可达到速丰林的年均生长量标准;桉树—米老排、桉树—卷荚相思、桉树—灰木莲混交均可以有效促进桉树的生长,并在一定程度上改善土壤理化性状。2)套种后混交林中的桉树树高、胸径、材积分别比纯林提高3.35%~11.24%、4.05%~12.32%和11.85%~40.59%。3)米老排、卷荚相思和灰木莲与桉树的套种方式可作为桉树纯林择伐后套种混交的推荐模式。  相似文献   
7.
闽南山地巨尾桉与木麻黄混交造林初步研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对闽南山地桉树人工林经营中存在易受风害的问题,开展了巨尾桉与木麻黄混交造林试验研究。采用巨尾桉与木麻黄分别按照3∶2和4∶1两种比例种植,巨尾桉纯林为对照,5年生的试验林调查结果表明:巨尾桉与木麻黄按照3∶2比例种植时,巨尾桉的单株生长量有所提高,两种混交林单位面积蓄积量略小于巨尾桉纯林,不同类型林分中巨尾桉生长量和林分总蓄积量差异不显著。巨尾桉与木麻黄混交林的抗风性和土壤结构及肥力状况均优于巨尾桉纯林。巨尾桉与木麻黄混交以3∶2的比例较为合适。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号