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首先采用化学气相沉积法成功制备半导体氧化镓(Ga2O3)纳米线,并通过X 射线衍射、扫描电镜、透射电镜
等检测手段对其形貌、结构和尺寸进行了表征.进而利用一种简易的探针刻划法制作了基于Ga2O3 纳米线的日盲
型紫外探测原型器件,光电测试表明,该器件对254nm 的紫外光具有快速灵敏的响应特性,最后讨论了Ga2O3 纳
米线紫外响应的微观机理. 相似文献
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