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用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜,在真空条件下,将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,结果表明：在不同温度和不同时间下硫化,所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时,所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好,具有（111）方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm,且晶格常数与标样的数值吻合很好． 相似文献
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