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为研究电子束辐照对金花葵花粉萌发率的影响和对Cu2+注入的M1代的金花葵花粉萌发率的影响,通过300Gy、400Gy、500Gy、600Gy、800Gy和1 000Gy剂量的BF-5直线加速器对金花葵(Abelmoschus manihot)的离体花粉进行辐照处理。对处理花粉萌发培养研究表明,在电子束辐照实验剂量范围内,金花葵花粉的萌发率都受到抑制,但对经过Cu2+注入的M1代的金花葵花粉萌发率的影响则不同,其中较低剂量对4MeV 1×1011 Cu2+/cm2 M1代花粉萌发率影响不大;而对4MeV 1×1012 Cu2+/cm2 M1代花粉萌发率则有提高和促进作用,说明Cu2+注入提高了M1代花粉对电子束的抗性。这对金花葵优良品种选育具有积极意义。 相似文献
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