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[目的]本文旨在探究镉(Cd2+)对豌豆根边缘细胞(RBC)和早期幼根的伤害。[方法]以豌豆为材料,采用根悬空培养的方法,研究了0、1、2、5μmol·L-1 Cd2+对豌豆根边缘细胞和早期幼根生长的影响。[结果]镉对豌豆根边缘细胞和幼根产生胁迫伤害,且存在剂量效应。较高浓度的镉胁迫显著降低豌豆RBC的数量、诱导RBC凋亡。1、2、5μmol·L-1 Cd2+胁迫,RBC数量分别比对照减少7.42%、15.42%和32.17%。RBC凋亡率分别比对照上升40.53%、160.61%和306.60%。镉胁迫诱导RBC黏胶层增厚,与对照比增加了55.40%、148.74%和248.21%;镉诱导豌豆幼根抗氧化酶POD、SOD、CAT活性升高,活性氧含量增加。1、2、5μmol·L-1 Cd2+胁迫,幼根SOD活性分别比对照升高了39.71%、46.51%和53.91%,活性氧荧光强度分别比对照增加了12.66%、16.18%和44.37%... 相似文献
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