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In this paper, the method of computerized simulation is applied to calculate the thermal desorption spectrum of the Si(111)/H system. The effects of desorption energy, pre-exponetial factor and initial adsorbate coverage on the thermal desorption spectrum 相似文献
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本文运用热脱吸附谱方法(TDS)研究了室温下CH_3OD在Si(Ⅲ)表面上的吸附,对所取得的H_2, HD及D_2的热脱吸附谱进行了分析和比较,并计算出它们的脱吸附能和预指数因子. 相似文献
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运用HP4284A通过对不同质量样品的实验研究比较,对PZT/YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究,以一个物理参数等效电路模型,揭示了PZT/YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因,给出薄膜的漏电阻,氧化物电极的自电阻及测试所用信号频率与超导临界转变温度区电容跳变幅度间的定量关系。 相似文献
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