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为探究NaCl胁迫下Si对甘草抗逆生理特性的影响,通过盆栽试验,研究不同浓度Si对甘草叶片抗氧化酶活性(SOD、POD、CAT)、MDA含量、质膜相对透性以及可溶性蛋白和脯氨酸含量的影响。结果表明,Si2(0.2g·kg-1)处理为最适浓度,可显著提高甘草叶片SOD、POD、CAT活性,与对照(Si0)相比,这3种酶活性在Si2处理下分别增加37.44%、26.98%、35.16%;Si3(0.6 g·kg-1)处理显著降低膜脂过氧化物MDA含量;增加质膜相对透性、可溶性蛋白含量;降低脯氨酸含量,MDA含量降低35.63%;质膜相对透性增加17.69%;可溶性蛋白含量增加36.62%;脯氨酸含量降低38.15%。由此可见,Si可以通过提高抗氧化酶活性来减轻活性氧及自由基对甘草叶片的毒害作用,即加Si可改善甘草在NaCl胁迫中的抗逆特性,缓解了NaCl胁迫对甘草的伤害。 相似文献
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为深入了解 Si 对盐胁迫下甘草幼苗的影响,本实验采用培养皿滤纸床进行发芽试验,以乌拉尔甘草幼苗为试验材料,在两种浓度 NaCl 溶液胁迫下设置不同浓度的硅溶液对甘草幼苗进行处理,通过测定幼苗形态（胚根、胚芽）及生理（质膜相对透性、丙二醛和过氧化物酶）指标,以探讨在盐胁迫下外源硅对甘草幼苗形态及生理指标的影响。结果表明,在 NaCl 胁迫下,加入硅（Si）溶液后可以有效增加幼苗胚芽和胚根的长度及重量。在低盐（100 mmol／L）胁迫下,Si 浓度为0．4 mmol／L 时对胚根生长的促进最强;在高盐（200 mmol／L）胁迫下,Si 浓度为0．8 mmol／L 时对胚根生长的促进作用最强。外源 Si 也不同程度提高了过氧化物酶活性、渗透调节物质脯氨酸含量,以及丙二醛含量和质膜相对透性。由此可见,在盐胁迫条件下,加入适宜浓度的外源硅,可以通过保持一定的抗渗透胁迫能力和清除活性氧的能力,进而保持膜的稳定,来缓解盐胁迫对甘草幼苗生长的抑制作用。 相似文献
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