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霍山石斛离体培养条件优化
引用本文:林榕燕,叶秀仙,钟淮钦,黄敏玲,林兵.霍山石斛离体培养条件优化[J].福建农业学报,2018(6).
作者姓名:林榕燕  叶秀仙  钟淮钦  黄敏玲  林兵
作者单位:福建省农业科学院作物研究所;福建省农业科学院花卉研究中心;福建省特色花卉工程技术研究中心
摘    要:为建立更适宜的霍山石斛离体培养体系,选取霍山石斛原球茎和试管苗作为材料,比较不同植物生长调节剂对原球茎增殖的影响以及不同基本培养基、马铃薯粉、活性炭、IBA等因素对试管苗壮苗生根情况的影响。结果显示,6-BA是霍山石斛原球茎增殖的主要影响因素,在1/2MS+0.2mg·L~(-1) 2,4-D+0.2mg·L~(-1)6-BA+0.4mg·L~(-1) KT的培养基中原球茎增殖系数最高;活性炭是影响霍山石斛试管苗壮苗生根的主要因素,在1/2MS+1.25g·L~(-1)马铃薯粉+0.5g·L~(-1)活性炭+0.4mg·L~(-1) IBA的培养基中试管苗壮苗生根效果最好。

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