摘 要: | 用N 离子束注入玉米H65和H14D种子,研究其M1代的细胞学效应,并以γ射线辐照作比较。结果表明,离子注入不仅能够诱发M1代根尖细胞核畸变和染色体畸变,而且还能够诱发染色体出现多种变异类型;其畸变频率随离子注入剂量的增加而增大,注入剂量与畸变频率呈正相关。此外,离子注入对根尖细胞的有丝分裂还具有明显地抑制作用,注入剂量与细胞分裂指数呈负相关。离子注入引起的细胞学效应与γ射线基本相似,但在诱发细胞变异频率及核畸变和染色体畸变类型上存在差异。两个供试品系对N 离子的敏感性为H14D>H65。N 离子注入玉米宜采用的适宜剂量范围为2×10~(16)~8×10~(16)N /cm2。
|