| 烧结温度和ZrO2掺量对ZnO压敏电阻微观结构与电气性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 孙祥云,陈雪琨,李鑫.烧结温度和ZrO2掺量对ZnO压敏电阻微观结构与电气性能的影响[J].山东农业大学学报(自然科学版),2020,51(3). |
| |
| 作者姓名： | 孙祥云 陈雪琨 李鑫 |
| |
| 作者单位： | 邢台职业技术学院, 河北 邢台 054035;福建电力职业技术学院, 福建 泉州 362000 |
| |
| 摘 要： | 为研究烧结温度和ZrO_2掺量对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响,本文通过固相烧结法得到不同烧结温度以及不同ZrO_2掺杂下的ZnO电阻。通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)以及能谱分析(EDS)研究了ZnO电阻的微观形貌,元素分布以及相位结构,并测量了试品的体密度、电位梯度、残压比、非线性系数以及泄漏电流。研究结果表明,ZrO_2以独立的第二相形态独立存在于氧化锌晶粒之间,可以起到限制晶粒生长,提高电位梯度的作用。随着ZrO_2掺杂量的不断增加,晶界层中的Mn,Sb,Co,Cr等元素含量呈现出先增加后减小的趋势,当ZrO_2掺杂量超过1%时,ZnO电阻片电气性能急剧下降。随着烧结温度的不断增加,ZnO电阻片晶粒尺寸增大,电位梯度减小。当烧结温度高于1200℃时,部分ZrO_2由单斜晶相转化为立方晶相,同时氧化锌孔隙率增加,导致非线性系数减小,残压比与泄漏电流增加。当烧结温度为1150℃,ZrO_2掺杂量为1%时,ZnO压敏电阻达到整体最优电气性能:电位梯度E_(1mA)=420 V/mm,非线性系数α=58,残压比C_R=1.87,泄漏电流I_L=3μA。本文的研究结果可以为高性能氧化锌电阻片的研发提供参考。
|
| 关 键 词： | 压敏电阻 烧结温度 电气特性 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
