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阻变存储器电学特性的研究

摘要：	本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构,以1T1R为基本操作单元,针对阻变存储器的电学特性展开研究,主要包括典型的IV特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。
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