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相似文献
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1.
设F为区域D内的一族全纯函数,k为正整数,n0,…,nk为k个非负整数,满足n0 … nk≥2,且存在ni≥1(0≤i≤k-1). 若对任意f(z)∈F,f(z)的零点重数≥k,且fn0(z)(f′(z))n1…(f(k)(z))nk≠1,则F在D内正规.  相似文献   

2.
设F为区域D内的一族全纯函数,k为正整数,n0,…,nk为k个非负整数,满足n0 … nk≥2,且存在ni≥1(0≤i≤k-1). 若对任意f(z)∈F,f(z)的零点重数≥k,且fn0(z)(f′(z))n1…(f(k)(z))nk≠1,则F在D内正规.  相似文献   

3.
研究了高阶亚纯函数系数非齐次线性微分方程f(k)+Ak-1f(k-1)+…+A0f=Q·exp{E(z)}解的超级和二级不同零点收敛指数,在假设其系数满足一定的条件下,得到方程解的超级和二级不同零点收敛指数的精确估计。  相似文献   

4.
二阶差分方程边值问题正解的存在性   总被引:2,自引:0,他引:2  
运用Krasnoselskii不动点定理考察了二阶差分方程边值问题{△2u(k-1)+a(k)f(u(k))=0,k∈[1,T]z/u(0)=0,u(T+1)=αu(τ)1个及2个正解的存在性,其中f:[0,∞)→[0,∞)连续,T∈Z且T≥3,τ∈[2,T-1]z.
Abstract:
In this paper, we use the Krasnoselskii fixed piont theorem to study the existence of one or two positive solutions of second-order boundary value problems for difference equations {△2u(k- 1) +a(k)f(u(k)) = 0, k ∈ [1, T]z/u(0) = 0, u(T + 1) = αu(τ)where of: [0, ∞) → [0, ∞) is continuous, T ∈ Z and T≥ 3, τ∈ [2, T- 1]z.  相似文献   

5.
应用Riccati变换和不等式变换技巧,研究了一类二阶中立型带阻尼项多时滞微分方程[a(t)(z′(t))η]′+b(t)(z′(t))η+n∑i=1fi(t,x(σi(t)))=0t≥t00的振动性,其中z(t)=x(t)+m∑i=1pi(t)x(τi(t))并给出了此类方程振动的充分条件,丰富了已有研究结果.  相似文献   

6.
设f和g为两个非常数亚纯函数,n,k,m为正整数,p(z)=amzm+am-1zm-1+…+a1z+a0或p(z)≡c0,其中a0≠0,am≠0,c0≠0为常数.若E(∞,f)=E(∞,g)El)(1,[fnp(f)](k))=E1)(1,[gnp(g)](k))且当l=3,2,1时,n,k,m分别满足n>3k+m+7,n/>4k+3/2m+8,n>7k+3m+11.则(Ⅰ)当p(z)=amzm+am-1zm-1+…+a1z+a0时,f和g满足代数方程R(f,g)≡0,其中R(w1,w2)=wn1(amwm1+am-1wm-11+…+a0)-wn2(amwma+am-1wm-22+…+a0)(Ⅱ)当p(z)≡c0时,f(z)=c1/n√c0ecx,g(x)=c2/n√c0e-cx,其中c1,c2和c满足(-1)k(c1c2)n(nc)2k=1,或者f(z)≡tg(z),(tn=1).  相似文献   

7.
研究了函数方程φ(x+f(x))=(1-λ)φ(x)+λφ(f(x))+φ(λx+(1-λ)f(x)),引进适当的变换,得到对应的辅助方程,然后构造了两个收敛的数列,根据单调有界定理及收敛值的唯一性,得到了该函数方程只存在线性解且该解不依赖于f(x).最后将结论应用到关于函数方程φ(x+f(x))=φ(x1)-λφ(f(x)λ)φ(λx+(1-λ)f(x))解的讨论中.  相似文献   

8.
对于Libera积分算子F(z)=(c+1)/z integral from 0 to z(t~(c-1)f(t)dt),当F(z)属于S~*、K时,即满足条件Re{_zF′(z)/F(z)}>0及Re{1+_zF″(z)/F′(z)}>0时,将给出函数f(z)=1/(c+1)[_zF′(z)+_cF(z)]的星像半径和凸半径的精确值,即对于0≤c≤1,当|z|<(2-(3+c~2)~(1/2))/(1-c)时,f(z)也将满足条件Re{_zf′(z)/f(z)}>0及Re{1+_zf″(z)/f′(z)}>0,z∈E={z:|z|<1},这里(2-(3+c~2)~(1/2))/(1-c)不能被换成更大的数。  相似文献   

9.
通过运用Leray-Schauder原理,讨论二阶差分方程边值问题△2u(k-1)+λ1u(k)+f(k,u(k))=0,k∈[1,T]u(0)=u(T+1)=0解的存在性,其中T≥1是固定的自然数,f:[1,T] ×R→R是连续函教.  相似文献   

10.
Fuzzy坡     
为了寻找新的代数结构,将Fuzzy集的概念应用于坡结构中,给出了Fuzzy坡的定义、坡的Fuzzy理想及其基本性质。得出坡P同态象f(P)的强理想M的同态原象f~(-1)(M)也为一个强理想,且P/f~(-1)(M)构成坡,并为f(M)的同态象。  相似文献   

11.
在空间W_p~((1))中,对于非线性方程组(A)W_z~-=g(z,W,W_z),|z|<1,|g(z,W,W_2~1)-g(z,W,W_z~2)|≤q_0|W_z~1-W_z~2|,q_0=const<1, 我们建立了斜微商问题的广义解的存在性和存在唯一性定理。对于线性方程组(A)W_z~-=q_1(z)W_z q_2(Z)W_z A(Z)W B(z)W C(z),|q~1(z)| |q~2(z)|≤q_0<1,q_0=const, 我们建立了斜微商问题广义解和连续可微解的存在唯一性定理,广义解的谱理论,并且研究了广义解的可微性。  相似文献   

12.
运用临界点理论中的Ekeland变分原理研究了非齐次四阶椭圆方程Δ2u-Δu+V(x)u=f(u)+h(x)u∈H2(RN)解的存在性,其中V∈C(RN,R)满足infx∈RNV(x)≥a1>0,这里a1>0是一个常数,更进一步,对每个M>0,meas({x∈RN:V(x)≤M})<∞,这里meas表示RN中的Lebesgue测度;f∈C(R,R+),f(0)=0,并且当z<0时f(z)≡0;limz→0f(z)/z=0,limz→+∞f(z)/z=l<+∞.  相似文献   

13.
设R是一个交换环,f是R到自身的一个映射。如果f保持R上全矩阵空间(或上三角矩阵空间)中的伴随矩阵,则f称为R上全矩阵空间(或上三角矩阵空间)保持伴随矩阵的函数。探讨了交换环上全矩阵空间和上三角矩阵空间保持伴随矩阵的函数,证明了对于交换环R到自身的任一个映射f,下列条件等价:(1)f是R上n阶矩阵空间保持伴随矩阵的函数,(2)f是R上n阶上三角矩阵空间保持伴随矩阵的函数,(3)f=f(1)δ,其中f~(n-1)(1)=f(1)且δ是R的非零自同态。所得的结果拓广了域上的重要结论。  相似文献   

14.
设F是区域D内的一族全纯(亚纯)函数, k是一正整数, a≠0是一有穷复数, b为一非负实数, f是F中的任意函数, f的零点的重数至少是k (k+1). 且当f(z)f(k)(z)=a时, |f(k)(z)|≤b, 则F在D内正规.  相似文献   

15.
我们用S(α,β)表示在单位圆E={z∶|z+<1}内解析并且满足条件|[zf′(z)/f(z)-1]/[αzf′(z)/f(z)+1]|<β,0≤α≤1,0<β≤1,的函数之全体,在本文中,将证明如果函数f(z)属于S(α,β),那么F_c(f)=((C+1)/z~c) integral from n=0 to 1 t~(c-1)f(t)dt也属于S(α,β)。  相似文献   

16.
运用不动点指数理论,研究了四阶两点边值问题{u(4)(t)=f(t,u(t),u'(t),u"(t),u'(t))0<t<1u(0)=u'(1)=0,au"(0) bu'(0)=0,cu"(1)+du'(1)=0}多个正解的存在性.  相似文献   

17.
研究一族全纯函数的正规族,得到了相应的正规定则:设F是区域D内的全纯函数族,L(z)是区域D内的连续函数,h(z)(0)是区域D内的全纯函数.若对于F中的每一个函数f有f(z)≠L(z),f′(z)≠h(z),且当f(z)=0时f′(z)=a,其中ah(z)∈C-R,则F在D内正规.  相似文献   

18.
本文证明,若则若f(z)且为星象函数,则||b_k|-|b_(k-1)|≤16.6/k~(1/2),k=1,2,….  相似文献   

19.
模型z=f(x)或z=f(y)绕 z 轴旋转,得到空间对称模型z=f(x2+y2)0.5)及不对称模型z=f(ax2+by2)0.5),其中x,y是空间距离.这些空间旋转模型可以反映玉米弯孢茵叶斑病空间发展情况,同时通过SAS软件模拟得到掖单13和海试16上的较优空间分布模型.同时解释田间不同气候条件下,该病害出现对称和不对称分布模式的原因.  相似文献   

20.
本文证明:对于任意连续的晶硅(α-S1)隙态密度分布g(E),非晶硅肖特基势垒(M/α-Si)的剖面是V(x)=A(x)(V_(bi)-u)exp(-Lx)+uA(x)=(exp(-2L(x_n-x))+1)/(exp(-2Lx_n)+1)这里u=r/L~2, r=en_e/kk_0, L~2=α~2g(Ei)/kk_0,x_n是势垒宽度.n_0是导带过剩电子密度,k和k_0分别是α-Si的介电常数和真空电容率.如果隙态过剩电子密度N_t>>n_e,则有V(x)=V_(bi)·exp(-Lx)这里V_(bi)是M/a-Si的内建势,而N_t=g(Ei)(E_(fn)-E(fi), N_1+n_e=N?这里E(fn)和E(fi)分别是n型α-Si和本征α-Si的费米能级,N?是电离施主浓度,g(E_i)是E=E_i时g(E)的值,并且在本文中称它为"α-Si有效隙态密度”.  相似文献   

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